Tấm quang điện đa tinh thể

Tấm quang điện đa tinh thể là thế hệ mô-đun quang điện mới kết hợp hiệu suất chuyển đổi cao và đặc tính tuổi thọ dài của tế bào silicon đơn tinh thể với quy trình chế tạo vật liệu tương đối đơn giản của tế bào màng mỏng silicon vô định hình.

Tấm quang điện đa tinh thể được sản xuất bằng phương pháp đúc và hóa rắn định hướng để tạo ra các thỏi silicon đa tinh thể, sau đó được cắt và đánh bóng thành các tấm silicon đa tinh thể. Những tấm wafer này trải qua các quá trình tiếp theo như làm sạch, khuếch tán, lắng đọng màng chống phản chiếu, in lụa các điện cực và thiêu kết. Phương pháp đúc để sản xuất tấm silicon đa tinh thể tránh được sự cần thiết của quá trình kéo đơn tinh thể, do đó tiêu thụ ít năng lượng hơn so với tế bào silicon đơn tinh thể. Hình dạng không bị hạn chế và có thể được tạo thành các hình vuông để tạo điều kiện thuận lợi cho việc sắp xếp các mô-đun quang điện. Ngoài việc không có quy trình kéo đơn tinh thể, các quy trình hoàn thiện được sử dụng trong sản xuất tế bào silicon đơn tinh thể có thể được áp dụng để sản xuất tế bào silicon đa tinh thể. Tế bào silicon đa tinh thể có thể đạt hiệu suất lên tới 18%, thấp hơn một chút so với mức của tế bào silicon đơn tinh thể. Mặc dù tế bào silicon đa tinh thể có hiệu suất giảm phần nào so với tế bào silicon đơn tinh thể, nhưng chúng tiết kiệm năng lượng, bảo tồn vật liệu silicon và cân bằng chi phí xử lý với hiệu quả.

Tấm quang điện đa tinh thể có công suất mô-đun là 330~350W và hiệu suất mô-đun là 17,0%~18,3%.

Chú phổ biến: tấm quang điện đa tinh thể, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy tấm quang điện đa tinh thể tại Trung Quốc